Tehnologia de fabricație cu carbură de siliciu
video
Tehnologia de fabricație cu carbură de siliciu

Tehnologia de fabricație cu carbură de siliciu

Formă: Forma bulgăre/pulbere
Pulbere de carbură de siliciu pentru refractare

Descriere

 

Descriere

Carbura de siliciu (SiC) este un material popular în lumea electronică datorită proprietăților sale chimice și fizice superioare. Este utilizat în fabricarea componentelor electronice, cum ar fi MOSFET-uri, diode și module de putere.
Fabricarea SiC este un proces complex care necesită expertiză și echipamente specifice. Cea mai comună metodă folosită pentru producerea SiC este procesul Acheson, care implică încălzirea unui amestec de cocs și nisip într-un cuptor rezistent la electricitate. Reacția are ca rezultat formarea de cristale de SiC care sunt apoi zdrobite și sortate în funcție de dimensiunea și calitatea lor.
O altă metodă utilizată pentru fabricarea SiC este procesul de depunere chimică în vapori (CVD). Această metodă implică reacția dintre gazele reactive precum silanul (SiH4) și metanul (CH4) într-o cameră de vid. Reacția produce un strat de SiC pe un substrat, cum ar fi o placă de siliciu.

Specificație
Model Component procentual
60# Sic F.C Fe2O3
65# 60 min 15-20 8-12 3,5 max
70# 65 min 15-20 8-12 3,5 max
75# 70 min 15-20 8-12 3,5 max
80# 75 min 15-20 8-12 3,5 max
85# 80 min 3-6 3,5 max
90# 85 min 2,5 max 3,5 max
95# 90 min 1.0max 1,2 max
97# 95 min 0,6max 1,2 max

 

 

 

În ultimii ani, tehnologia de fabricație a SiC a avansat odată cu introducerea de noi metode de creștere a cristalelor de SiC, cum ar fi procesele PVT (transport fizic al vaporilor) și HTCVD (depunerea de vapori chimici termici cu perete fierbinte). Aceste procese permit producerea de cristale de SiC mai mari și mai uniforme, cu mai puține defecte în comparație cu procesul Acheson.
Industria de producție SiC continuă să crească datorită cererii tot mai mari de dispozitive electronice care necesită putere mare, temperatură ridicată și performanță de înaltă frecvență. Utilizarea componentelor SiC poate răspunde acestor cerințe prin reducerea pierderilor de putere, creșterea eficienței și reducerea dimensiunii și greutății.
În concluzie, tehnologia de fabricație SiC este o componentă crucială a industriei electronice. Odată cu progresele în metodele de creștere a cristalelor de SiC, ne putem aștepta ca producția de componente SiC să continue să crească în următorii ani. Acest lucru va avea ca rezultat dispozitive electronice mai eficiente, care sunt mai potrivite pentru medii cu putere mare și temperatură ridicată.

FAQ

Î: Cum controlați calitatea produselor?
R: Avem propriul nostru laborator cu dispozitiv de testare avansat. Produsele vor fi inspectate strict înainte de expediere, pentru a garanta că mărfurile sunt calificate.

Î: Produceți dimensiuni speciale?
R: Da, putem face piese conform cerințelor dvs.

Î: Aveți ceva în stoc și care este timpul de livrare?
R: Avem un stoc pe termen lung de spot pentru a satisface cerințele clienților. Putem expedia mărfurile în 7 zile, iar produsele personalizate pot fi expediate în 15 zile.

Î: Care este MOQ-ul comenzii de probă?
R: Fără limită, putem oferi cele mai bune sugestii și soluții în funcție de starea dumneavoastră.

 

 

 

 

Tag-uri populare: tehnologie de fabricare a carburii de siliciu

S-ar putea sa-ti placa si

Pungi de cumparaturi